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Transistor bipolaire non linéaire

Ce modèle présente l’implémentation d’un transistor bipolaire non linéaire sur la base du circuit d’Ebers-Moll équivalent. R1 et R2 définissent le point de fonctionnement nominal. Le gain en petits signaux est défini de manière approximative par le ratio R3/R4. Les condensateurs de découplage 1uF ont été retenus pour leur impédance négligeable à 1 KHz. Le modèle est configuré pour la linéarisation de manière à ce qu’une réponse en fréquence puisse être générée.

Le modèle indique comment créer des éléments plus complexes (dans le cas présent, un transistor) à partir des éléments électriques de base figurant dans la Foundation Library. Remarque : la simulation de démarrage issue de l’option à l'état stable a été définie dans le bloc Solver Configuration.

Pour plus d’informations de fond concernant l’utilisation de diodes linéaires par morceaux dans la modélisation de transistors, consultez : Cel, J. « Ebers-Moll model of bipolar transistor with idealized diodes », International Journal of Electronics, vol. 89, n° 1, janvier 2002, p. 7-18.

Modèle

Sous-système de transistor NPN non linéaire

Résultats de simulation enregistrés par Simscape

Réponse en fréquence